IC芯片的種類千千萬(wàn)萬(wàn),功能也是五花八門(mén),更何況現(xiàn)在越來(lái)越高級(jí)的各種各樣的soC、AI芯片,傳統(tǒng)的功能和性能測(cè)試,面對(duì)日益復(fù)雜的IC設(shè)計(jì),能達(dá)到的效果也越來(lái)越有限,覆蓋率低。在對(duì)電子器件小型化要求不斷提高的情況下,單片功能不斷增加。


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無(wú)損測(cè)試是在不損傷被測(cè)材料的情況下,檢查材料的內(nèi)在或表面缺陷,或測(cè)定材料的某些物理量、性能、組織狀態(tài)等的檢測(cè)技術(shù)。幾乎所有制造、服務(wù)、維修或大修檢查領(lǐng)域都需要無(wú)損檢測(cè)技術(shù)。目前實(shí)際應(yīng)用中有很多種無(wú)損檢測(cè)技術(shù),除了射線、超聲、磁粉、滲透、渦流這五大常規(guī)無(wú)損檢測(cè)之外,還有微波、聲發(fā)射、激光、紅外等等,下面為大家介紹的是幾種常用的無(wú)損檢測(cè)應(yīng)用分類及區(qū)別。


IC芯片(Integrated Circuit 集成電路)是將大量的微電子元器件(晶體管、電阻、電容、二極管等) 形成的集成電路放在一塊塑基上,做成一塊芯片。目前幾乎所有看到的芯片,都可以叫做IC芯片。下面,小編就為您介紹一下IC芯片檢測(cè)的相關(guān)知識(shí)。


當(dāng)機(jī)械零件喪失它應(yīng)有的功能后,則稱該零件失效。造成失效的原因有很多,如斷裂、變形、表面磨損等。所謂失效,主要指零件由于某種原因,導(dǎo)致其尺寸、形狀或材料的組織與性能的變化而喪失其規(guī)定功能的現(xiàn)象。為幫助大家深入了解,本文將對(duì)零件失效分析的相關(guān)知識(shí)予以匯總。如果您對(duì)本文即將要涉及的內(nèi)容感興趣的話,那就繼續(xù)往下閱讀吧。


IC芯片,英文名Integrated Circuit Chip,就是是將大量的微電子元器件(晶體管、電阻、電容等)形成的集成電路放在一塊塑基上,從而做成一塊芯片。目前IC芯片的質(zhì)量對(duì)整個(gè)電子產(chǎn)品的作用非常大,它直接影響著整個(gè)產(chǎn)品上市后的質(zhì)量問(wèn)題。那么對(duì)于采購(gòu)人員而已,如何正確的檢測(cè)IC芯片質(zhì)量的好壞?本文簡(jiǎn)單介紹幾種方法。


金屬在外加載荷的作用下,當(dāng)應(yīng)力達(dá)到材料的斷裂強(qiáng)度時(shí),發(fā)生斷裂。金屬材料的斷裂過(guò)程一般有三個(gè)階段,即裂紋的萌生,裂紋的亞穩(wěn)擴(kuò)展及失穩(wěn)擴(kuò)展,最后是斷裂。金屬構(gòu)件可能在材料制造、構(gòu)件成形或使用階段的不同條件下啟裂、萌生裂紋;并受不同的環(huán)境因素及承載狀態(tài)的影響而使裂紋擴(kuò)展直至斷裂。


機(jī)械零件由于某些原因喪失工作能力或達(dá)不到設(shè)計(jì)要求性能時(shí),稱為失效。機(jī)械零件的失效并不是單純意味著破壞,可歸納為三種情況:完全不能工作;雖然能工作,但性能惡劣,超過(guò)規(guī)定指標(biāo);有嚴(yán)重?fù)p傷,失去安全工作能力。為了預(yù)防零件失效,需對(duì)零件進(jìn)行失效分析,即通過(guò)判斷零件失效形式、確定零件失效機(jī)理和原因,有針對(duì)性地進(jìn)行選材、確定合理的加工路線,提出預(yù)防失效的措施。


電容器是電路或電力設(shè)備中不可缺少的一部分。而且電容器的種類很多,瓷片電容器就是其中之一。電容之所以會(huì)漏電,因?yàn)殡娙輧蓸O之間的介電材質(zhì)不可能是絕對(duì)絕緣的,只能是相對(duì)絕緣,因此有些電容存在漏電流。


場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫(xiě)為FET,可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),我們平常簡(jiǎn)稱為MOS管。而MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型而我們平常主板中常見(jiàn)使用的也就是增強(qiáng)型的MOS管。場(chǎng)效應(yīng)管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。





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