目前無(wú)損檢測(cè)(NDT)技術(shù)運(yùn)用十分廣泛,幾乎所有組件的結(jié)構(gòu)完整性和安全性,尤其是最關(guān)鍵的組件,都需要進(jìn)行驗(yàn)證,無(wú)損檢測(cè)在其中起著非常重要的作用。幾乎所有制造、服務(wù)、維修或大修檢查領(lǐng)域都需要無(wú)損檢測(cè)技術(shù)。五大常規(guī)無(wú)損檢測(cè)原理,無(wú)損檢測(cè)技術(shù)不破壞零件或材料,可以直接在現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行檢測(cè),而且效率高。最常用的無(wú)損檢測(cè)主要有五種:超聲檢測(cè) UT(Ultrasonic Testing)、射線檢測(cè) RT(Radiographic Testing) 、磁粉檢測(cè) MT(Magnetic particle Testin


現(xiàn)代無(wú)損檢測(cè)技術(shù)可以簡(jiǎn)單地分為兩類:表面無(wú)損檢測(cè)與近表面無(wú)損檢測(cè)。表面無(wú)損檢測(cè)技術(shù)是一項(xiàng)用于檢測(cè)產(chǎn)品表面缺陷的技術(shù),如熒光滲透檢測(cè),它能有效定位存在于表面中的裂紋或其它類型的缺陷。近表面無(wú)損檢測(cè)技術(shù)則用于檢測(cè)表面之下的缺陷。包括超聲檢測(cè)、激光檢測(cè)和射線檢測(cè)等方法。無(wú)損檢測(cè)方法有很多種,其中大部分可分為兩類:表面和內(nèi)部檢測(cè)。表面檢測(cè)方法用于檢測(cè)表面或非常接近表面的缺陷和異常,最常用的兩種方法是滲透檢測(cè)和激光剪切成像。


檢測(cè)報(bào)告要找相關(guān)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè),檢測(cè)機(jī)構(gòu)一般需要具備CMA和CNAS資質(zhì)才能出具有效力的檢測(cè)報(bào)告。根據(jù)《中華人民共和國(guó)產(chǎn)品質(zhì)量法》第十九條 產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)必須具備相應(yīng)的檢測(cè)條件和能力,經(jīng)省級(jí)以上人民政府市場(chǎng)監(jiān)督管理部門或者其授權(quán)的部門考核合格后,方可承擔(dān)產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)工作。法律、行政法規(guī)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)另有規(guī)定的,依照有關(guān)法律、行政法規(guī)的規(guī)定執(zhí)行。那么一般電子元器件檢測(cè)報(bào)告怎么辦理?有什么要求?


如今ROHS認(rèn)證已經(jīng)升級(jí)為ROHS2.0了,不但是歐盟ROHS升級(jí)還有中國(guó)ROHS也升級(jí)為ROHS2了。RoHS檢測(cè)共有十項(xiàng),一般可以分為四項(xiàng),六項(xiàng)和十項(xiàng)。RoHS1.0是舊版2002/95/EC,RoHS2.0是現(xiàn)行2011/65/EU,修訂是2015/863,不是RoHS3.0。歐盟rohs2.0總共檢測(cè)幾項(xiàng)?2011/65/EC指令改為RoHS10項(xiàng):鉛(Pb),鎘(Cd),汞(Hg),六價(jià)鉻(Cr6+),多溴聯(lián)苯(PBBs)和多溴聯(lián)苯醚(PBDEs),增鄰苯二甲酸二正丁酯(DBP),鄰苯


隨著電子電器設(shè)備的快速成倍增長(zhǎng),大量的電子廢棄物也迅速增加,為控制電子電氣廢棄物對(duì)生態(tài)環(huán)境的污染,不同國(guó)家或地區(qū)都頒布了相關(guān)的法律法規(guī)來(lái)管控。其中,歐盟限制電機(jī)電子產(chǎn)品中10類有害物質(zhì)的指令RoHS2.0,要求自2019年7月22日起,所有輸歐電子電器產(chǎn)品(除醫(yī)療和監(jiān)控設(shè)備)均需滿足該限制要求。RoHS是進(jìn)入歐盟市場(chǎng)產(chǎn)品及材料的環(huán)保證明,該指令屬于強(qiáng)制要求涉及該指令的產(chǎn)品或材料不能出具RoHS環(huán)保證明將無(wú)法進(jìn)入市場(chǎng)銷售。RoHS2.0的執(zhí)行關(guān)乎出口歐盟的電子電器廠商利益,所以今天我們就一起來(lái)看看


IGBT是由雙極晶體管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的復(fù)合完全受控電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體設(shè)備,具有MOSFET高輸入阻抗和GTR低導(dǎo)通壓降兩大優(yōu)點(diǎn)。


當(dāng)半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時(shí),雜質(zhì)原子附近的周期勢(shì)場(chǎng)受到干擾,形成額外的束縛狀態(tài),在禁帶中產(chǎn)生額外的雜質(zhì)能級(jí)。能夠提供電子載流子的雜質(zhì)稱為施主(Donor)雜質(zhì),相應(yīng)的能級(jí)稱為施主能級(jí),位于禁帶上方靠近導(dǎo)帶底部。


性能測(cè)試一般指的是功能測(cè)試,主要測(cè)試還設(shè)備運(yùn)用的功能有哪些,就測(cè)那些固定參數(shù)是否符合規(guī)定。性能測(cè)試是通過自動(dòng)化的測(cè)試工具模擬多種正常、峰值以及異常負(fù)載條件來(lái)對(duì)系統(tǒng)的各項(xiàng)性能指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試。負(fù)載測(cè)試和壓力測(cè)試都屬于性能測(cè)試,兩者可以結(jié)合進(jìn)行。功能測(cè)試就是對(duì)產(chǎn)品的各功能進(jìn)行驗(yàn)證,根據(jù)功能測(cè)試用例,逐項(xiàng)測(cè)試,檢查產(chǎn)品是否達(dá)到用戶要求的功能。


芯片燒錄是電子產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)中的重要一環(huán),效率高低,是客戶關(guān)注的重要方面。如何判斷IC是否被燒錄過?燒錄的效率離不開芯片的燒錄速度,芯片編程的原理說(shuō)明。 單片機(jī)燒錄原理是單片機(jī)中已經(jīng)存在了一個(gè)燒寫程序。啟動(dòng)單片機(jī)時(shí)首先運(yùn)行這程序,程序判斷端口狀態(tài),如果符合“要燒寫ROM”的狀態(tài)存在,就從某個(gè)端口(串口、SPI等等)讀取數(shù)據(jù),然后寫入到單片機(jī)的ROM中。如果沒有“要燒寫ROM”的狀態(tài),就轉(zhuǎn)到用戶的程序開始執(zhí)行。


IC就是集成電路,簡(jiǎn)稱芯片,所有做電子產(chǎn)品生產(chǎn)的企業(yè)都會(huì)用IC,但I(xiàn)C分為需要燒錄的主動(dòng)芯片和不需要燒錄的被動(dòng)芯片。所有需要用到主動(dòng)芯片的場(chǎng)合,需要IC燒錄。不過一般的芯片如果不是單片機(jī)或者編程芯片是不需要燒錄的,單片機(jī)或者ARM等這樣的芯片要燒錄的。下面一起來(lái)看看具體介紹。




